ttrs az adattrolsban: itt az ezst-ionos technolgia
MTI 2013.10.08. 17:15
Akr 1 terabjt (1000 gigabjt) adatot is kpes trolni egy 200 ngyzetmillimteres csipen az eddig hasznlt tetszleges hozzfrs memria, a RAM ezst-ionon alapul tovbbfejlesztett vltozata.
Az j memrit angolul Resistive RAM-nak (ReRAM) hvjk - tjkoztatta a nemesfm-befektetsekkel foglalkoz Conclude Befektetsi Zrt. az MTI-t. A Conclude kzlemnye szerint az ezst-ion alap technolgival ksztett memria, amely vrhatan jvre kerl forgalomba, hatkonyabb az elektronikai eszkzkben - az okostelefonokban, a tblagpekben s a notebookokban - a napjainkban hasznlt hagyomnyos Flash adattrolknl, mikzben megtartja az elnyeiket.
A ReRAM olyan kevs energit hasznl, hogy az ezzel a technolgival gyrtott okostelefont akr egy htig sem kell jratlteni. Radsul a blyegmret ReRAM csip egy terabjtnyi adatot tud trolni, ami 250 HD minsg mozifilm feltltsre elegend hely.
Az adatok bevitele is gyorsabb, a msodperc millirdod rszben mrhet, szemben az eddigi meghajtk ezredmsodperceivel, tovbb az lettartama is hosszabb, milliszor jrarhat, szemben a Flash meghajtval, amely krlbell tzezer jrars utn tnkremegy.
Az j technolgia vzvlaszt lehet a tbb mint ezermillird dollr rtkre takslt elektronikai vilgpiacon, mivel egyszerbb vele az gynevezett nem felejt (angolul: non-volatile) memria gyrtsa, amelyet szinte mindentt alkalmaznak, a tblagpektl kezdve az USB meghajtkon t a vllalati trolrendszerekig.
Elterjedse egyttal az ezst irnti vilgpiaci keresletet is stabilizlhatja - jegyzi meg a Conclude kzlemnyben.
|